| 型号：IDT71V3577S85PFG8 | 类别：存储器 | 制造商：IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 封装：100-LQFP | 描述：IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP | |
详细参数
| 类别 | 存储器 |
|---|---|
| 描述 | IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP |
| 系列 | - |
| 制造商 | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 格式_存储器 | RAM |
| 存储器类型 | SRAM - 同步 |
| 存储容量 | 4.5M（128K x 36） |
| 速度 | 85ns |
| 接口 | 并联 |
| 电压_电源 | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作温度 | 0°C ~ 70°C |
| 封装/外壳 | 100-LQFP |
| 供应商器件封装 | 100-TQFP（14x14） |
| 包装 | 带卷 (TR) |
供应商
| 深圳市毅创腾电子科技有限公司 | 张小姐86-755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道） |
| 北京首天伟业科技有限公司 | 刘经理086-010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791 |
| 北京显周科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
| 北京人上科技有限公司 | 刘先生13910052844（微信同步） |
IDT71V3577S85PFG8相关型号
- GRM43ER71H225MA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 1812
- G3JA-C409B AC/DC24
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- IDT71V3577S80PFGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
100-LQFP
IC SRAM 4MBIT 80NS 100TQFP
- GRM43ER71H225MA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 50V 20% X7R 1812
- GSOT08C-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 2LINE 8V SOT23
- G7L-2A-P-80-CB AC100/120
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 120V
- G3JA-C409B AC/DC24
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- GRM43ER72A225KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- GSOT12C-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
DIODE ESD 2LINE 12V LLP75-3B
- IDT71V3577S85BQ
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
165-TBGA
IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA
- G7L-2A-P-IN-CB DC24
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 24V
- G3JA-C409B AC100-240
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- GSOT12-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 1LINE 12V SOT23
- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- G7L-2A-PUB-CB DC12
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 20A 12V
- G3JA-C409B AC100-240
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTER 3PHASE HYBRD 200-480V 9A
- IDT71V3577S85PF
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
100-LQFP
IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP
- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- GSOT12-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B
- G7L-2A-T-J-CB-DC48
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
- G3JA-C416B AC/DC24
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Omron Electronics Inc-IA Div
STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
- GSOT12-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
DIODE ESD 1LINE 12V LLP75-3B
- GRM43ER72A225KA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 10% X7R 1812
- G3JA-C416B AC/DC24
配件
Omron Electronics Inc-IA Div
STARTR 3PHASE HYBRD 200-480V 16A
- G7L-2A-TUB-80-CB DC48
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
- IDT71V3577SA75BG8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- GRM43ER72A225MA01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 2.2UF 100V 20% X7R 1812
- GSOT24C-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- G7L-2A-TUB-CB-DC48
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 48V
- IDT71V3577SA75BGG8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- IDT71V3577SA75BGGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- G7L-2A-TUB-J-CB-DC100
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-IA Div
RELAY GEN PURPOSE DPST 25A 100V
- GSOT24C-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DIODE ESD 2LINE 24V SOT23
- GRM43NR72A104KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- IDT71V3577SA75BGGI8
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
119-BGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 119BGA
- GSOT24-HT3-GS08
TVS - 二极管
Vishay Semiconductor Opto Division
3-WDFN
DIODE ESD 1LINE 24V LLP75-3B
- GRM43NR72A104KA01K
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 0.1UF 100V 10% X7R 1812
- G7S-4A2B DC24
功率，高于 2 安
Omron Electronics Inc-EMC Div
RELAY SAFETY 6PST 6A 24V
- IDT71V3577SA75BQGI
存储器
IDT, Integrated Device Technology Inc
165-TBGA
IC SRAM 4MBIT 75NS 165FBGA
- GRM43QR72E154KW01L
陶瓷
Murata Electronics North America
1812（4532 公制）
CAP CER 0.15UF 250V 10% X7R 1812
